Investigation théorique des propriétés élastiques des semiconducteurs III-V
| dc.contributor.author | BELABBAS, Hanane | |
| dc.date.accessioned | 2019-02-17T09:52:50Z | |
| dc.date.available | 2019-02-17T09:52:50Z | |
| dc.date.issued | 2016-06-04 | |
| dc.description.abstract | Les semi-conducteurs III-V, tels que GaAs, GaSb, InAs, InSb et de InP, présentent des performances exceptionnelles lorsqu’ils sont utilisés dans des dispositifs optoélectroniques et d’autres applications dans le développement de nouvelles technologies. L’objectif de cette thèse est d’étudier les propriétés élastiques, et mécaniques de ces composés mentionnés cidessus. Nos résultats ont montré que toute les constantes élastiques d’intérêt diminuent d’une manière monotone avec l’augmentation de la constante du réseau on exhibait un comportent non linéaire. Nos résultats ont montré aussi que la GaAs est le semi-conducteur le plus rigide parmi ceux étudiés. Les critères de stabilité mécaniques ont montrés que tous les semiconducteurs d’intérêt sont stable mécaniquement | en_US |
| dc.identifier.uri | http://dspace.univ-msila.dz:8080//xmlui/handle/123456789/7838 | |
| dc.language.iso | fr | en_US |
| dc.publisher | Université Mohamed BOUDIAF de M'Sila | en_US |
| dc.subject | propriétés élastiques ; semi-conducteurs III-V ; stabilité mécanique ; paramétrés mécaniques. | en_US |
| dc.title | Investigation théorique des propriétés élastiques des semiconducteurs III-V | en_US |
| dc.type | Thesis | en_US |