Etude ET Simulation Du Diode Laser à Base De Semi-conducteurs III-V (InGaAsP-InP)
Loading...
Files
Date
2017
Authors
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
UNIVERSITE MOHAMED BOUDIAF - M’SILA
Abstract
L’objectif de ce travail est l’étude des diodes lasers à base de semi-conducteur III-V, plus
particulièrement diode laser (InGaAsP-InP). L'étude détaillée d'un modèle à une dimension,
qui se limite au régime stationnaire de la diode laser a été présentée. La simulation par le
logiciel Maple et Matlab du modèle étudié, a permis d'éclaircir l'influence de quelques
paramètres sur les caractéristiques électriques et optiques de la diode laser étudié.
Description
Keywords
Diode Laser, semi-conducteurs III-V, émission stimulée, recombinaison,