Etude ET Simulation Du Diode Laser à Base De Semi-conducteurs III-V (InGaAsP-InP)
| dc.contributor.author | Nabil, Boubaaya | |
| dc.date.accessioned | 2018-01-29T10:27:37Z | |
| dc.date.available | 2018-01-29T10:27:37Z | |
| dc.date.issued | 2017 | |
| dc.description.abstract | L’objectif de ce travail est l’étude des diodes lasers à base de semi-conducteur III-V, plus particulièrement diode laser (InGaAsP-InP). L'étude détaillée d'un modèle à une dimension, qui se limite au régime stationnaire de la diode laser a été présentée. La simulation par le logiciel Maple et Matlab du modèle étudié, a permis d'éclaircir l'influence de quelques paramètres sur les caractéristiques électriques et optiques de la diode laser étudié. | en_US |
| dc.identifier.other | 337 | |
| dc.identifier.uri | https://repository.univ-msila.dz/handle/123456789/1651 | |
| dc.language.iso | fr | en_US |
| dc.publisher | UNIVERSITE MOHAMED BOUDIAF - M’SILA | en_US |
| dc.subject | Diode Laser, semi-conducteurs III-V, émission stimulée, recombinaison, | en_US |
| dc.title | Etude ET Simulation Du Diode Laser à Base De Semi-conducteurs III-V (InGaAsP-InP) | en_US |
| dc.type | Thesis | en_US |