Etude unidimensionnel des défauts dans les cellules solaires CIGS

dc.contributor.authorBOUDRAA, Mohamed
dc.contributor.authorBENLEMKHARBECH, Okba
dc.contributor.authorEnca/ BOUCHAMA, Idris
dc.date.accessioned2021-09-07T11:56:13Z
dc.date.available2021-09-07T11:56:13Z
dc.date.issued2021-07-17
dc.description.abstractDans le contexte global de la diversification de l’utilisation des ressources naturelles, le recours aux énergies renouvelables et en particulier le solaire photovoltaïque se fait de plus en plus fort. A ce titre, le développement d’une nouvelle génération de cellules photovoltaïques à base de Cu (In, Ga) Se2 semble prometteur. En effet, le rendement de ces cellules a dépassé les 20% ces dernières années avec certaine condition d'élaboration. L'étude du comportement des caractéristiques électriques des cellules photovoltaïques à base de CIGS est passé par l’optimisation des paramètres primordiales tels que l’épaisseur et le dopage des couches de structure typique de ZnO(n)/CdS(n)/ODC/CIGS(p). Cette étude est effectuée par le simulateur SCAPS-1D. Le but de ce travail, est d'étudier l'effet des défauts profonds dans l'absorbeur CIGS et dans la couche des défauts ODC ainsi que les défauts d'interface ODC/ZnSe sur les performances de la cellule ZnO(n)/CdS(n)/ODC/CIGS(p).en_US
dc.identifier.urihttps://repository.univ-msila.dz/handle/123456789/25548
dc.language.isofren_US
dc.publisheruniversity of M'silaen_US
dc.subjectCellule solaire, Couche mince, Cu (In, Ga) Se2, Simulation numérique, SCAPS- 1D.en_US
dc.titleEtude unidimensionnel des défauts dans les cellules solaires CIGSen_US
dc.typeThesisen_US

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