Etude de premier-principes des propriétés structurales et électroniques des semi-conducteurs Al X (X=P, AS et Sb)
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Date
2014-06-19
Authors
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Publisher
Université Mohamed BOUDIAF de M'Sila
Abstract
Les propriétés structurales et électroniques des composés ;AlP, AlAs et AlSb ont été
étudiées. Les calculs ont été effectués par la méthode de calcul des ondes planes augmentées
(FP-LAPW) qui se base sur la théorie de la fonctionnelle de la densité (DFT). Nous avons
utilisé l'approximation de la densité locale (LDA) et l'approximation du gradient généralisé
(GGA) pour le terme du potentiel d'échange et de corrélation (XC) pour calculer les propriétés
structurales tel que (le paramètre de réseau ,module de compressibilité , énergie minimal) Les
valeurs du paramètre de réseau d’équilibre sont en accord avec les résultats expérimentaux
disponibles, et les propriétés électronique(la structure de bandes, densité d’états totale et
partielle et la densité de charge…ect) bien que, pour les propriétés électroniques (structure de
bandes (les gaps) et( la densité d’états totale et partielle) on a utilisé LDA, GGA ,EV-GGA et
mBJ. Les résultats obtenus pour la structure de bandes en utilisant EV- GGA et mBJ
montrent une amélioration considérable par rapport à ceux trouvés en utilisant les deux
approximations LDA et GGA. Ainsi les résultats théoriques et expérimental
Description
Keywords
propriétés structurales, électroniques, semi-conducteurs, Al X (X=P, AS et Sb)