Etude de premier-principes des propriétés structurales et électroniques des semi-conducteurs Al X (X=P, AS et Sb)
| dc.contributor.author | Raghdi, Amina | |
| dc.date.accessioned | 2019-02-24T12:32:55Z | |
| dc.date.available | 2019-02-24T12:32:55Z | |
| dc.date.issued | 2014-06-19 | |
| dc.description.abstract | Les propriétés structurales et électroniques des composés ;AlP, AlAs et AlSb ont été étudiées. Les calculs ont été effectués par la méthode de calcul des ondes planes augmentées (FP-LAPW) qui se base sur la théorie de la fonctionnelle de la densité (DFT). Nous avons utilisé l'approximation de la densité locale (LDA) et l'approximation du gradient généralisé (GGA) pour le terme du potentiel d'échange et de corrélation (XC) pour calculer les propriétés structurales tel que (le paramètre de réseau ,module de compressibilité , énergie minimal) Les valeurs du paramètre de réseau d’équilibre sont en accord avec les résultats expérimentaux disponibles, et les propriétés électronique(la structure de bandes, densité d’états totale et partielle et la densité de charge…ect) bien que, pour les propriétés électroniques (structure de bandes (les gaps) et( la densité d’états totale et partielle) on a utilisé LDA, GGA ,EV-GGA et mBJ. Les résultats obtenus pour la structure de bandes en utilisant EV- GGA et mBJ montrent une amélioration considérable par rapport à ceux trouvés en utilisant les deux approximations LDA et GGA. Ainsi les résultats théoriques et expérimental | en_US |
| dc.identifier.uri | http://dspace.univ-msila.dz:8080//xmlui/handle/123456789/9167 | |
| dc.language.iso | fr | en_US |
| dc.publisher | Université Mohamed BOUDIAF de M'Sila | en_US |
| dc.subject | propriétés structurales, électroniques, semi-conducteurs, Al X (X=P, AS et Sb) | en_US |
| dc.title | Etude de premier-principes des propriétés structurales et électroniques des semi-conducteurs Al X (X=P, AS et Sb) | en_US |
| dc.type | Thesis | en_US |
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