Etude des propriétés électroniques des semi-conducteurs ternaires (III-V)
Loading...
Date
2018-06-25
Authors
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Université Mohamed BOUDIAF de M'Sila
Abstract
Dans ce projet, nous avons étudié les propriétés structurales et électroniques des
matériaux binaires (AlN, GaN et InN) et des alliages ternaires (Al0.5Ga0.5N, Al0.5In0.5N et
Ga0.5In0.5N) en utilisant la méthode des ondes planes augmentées linéarisées (FP-LAPW)
dans le cadre de la théorie de la fonctionnelle de la densité (DFT) avec les deux
approximations :L’approximation du gradient généralisé (GGA) et l’approximation de la
densité locale (LDA) implémentés dans le code WIEN2K. Pour les propriétés électroniques,
on a utilisé l’approximation (mBJ: modified Becke-Johnson) avec les approximations
précédentes pour améliorer le gap énergétique. Les résultats obtenus montre que ces
matériaux se sont des semi-conducteurs avec un gap d’énergie direct.
Ces matériaux ont une grande importance dans le domaine de l'électronique
Description
Keywords
semi-conducteurs binaires, alliages ternaires, WIEN2K,FP-LAPW, DFT, GGA, LDA, mBJ.