Etude des propriétés électroniques des semi-conducteurs ternaires (III-V)
| dc.contributor.author | MOUISSAT, Zahra | |
| dc.date.accessioned | 2019-02-18T14:31:13Z | |
| dc.date.available | 2019-02-18T14:31:13Z | |
| dc.date.issued | 2018-06-25 | |
| dc.description.abstract | Dans ce projet, nous avons étudié les propriétés structurales et électroniques des matériaux binaires (AlN, GaN et InN) et des alliages ternaires (Al0.5Ga0.5N, Al0.5In0.5N et Ga0.5In0.5N) en utilisant la méthode des ondes planes augmentées linéarisées (FP-LAPW) dans le cadre de la théorie de la fonctionnelle de la densité (DFT) avec les deux approximations :L’approximation du gradient généralisé (GGA) et l’approximation de la densité locale (LDA) implémentés dans le code WIEN2K. Pour les propriétés électroniques, on a utilisé l’approximation (mBJ: modified Becke-Johnson) avec les approximations précédentes pour améliorer le gap énergétique. Les résultats obtenus montre que ces matériaux se sont des semi-conducteurs avec un gap d’énergie direct. Ces matériaux ont une grande importance dans le domaine de l'électronique | en_US |
| dc.identifier.uri | http://dspace.univ-msila.dz:8080//xmlui/handle/123456789/8159 | |
| dc.language.iso | fr | en_US |
| dc.publisher | Université Mohamed BOUDIAF de M'Sila | en_US |
| dc.subject | semi-conducteurs binaires, alliages ternaires, WIEN2K,FP-LAPW, DFT, GGA, LDA, mBJ. | en_US |
| dc.title | Etude des propriétés électroniques des semi-conducteurs ternaires (III-V) | en_US |
| dc.type | Thesis | en_US |
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