Transistor haute mobilité d’un haut électron à transistor HEMT
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Date
2012
Authors
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Publisher
Université Mohamed Boudiaf - M'Sila
Abstract
Ce mémoire avait pour but une étude comparative dans les transistors HEMTs de la filière
Arséniure de Galium. L’objectif visé était de faire une étude comparative de deux différentes
structures de transistor HEMT issues d’une structure générale et de mettre en évidence l’effet
de la suppression d’une couche qui constitue ces structures. Ainsi nous avons étudier
l’influence des différents paramètres technologique sur deux facteurs descriptifs de
l’hétérojonction à savoir la densité ns du gaz 2DEG et la tension de seuil Vth.
Les résultats de simulations obtenus, sur les différentes structures étudiées, sont Présentés.
Dans la première partie, on a étudié l’influence des différents paramètres sur Les
caractéristiques électriques de la structure I qui contient 4 couche (y compris la couche cap
layer).
Dans la deuxième partie, l’étude avait pour but l’analyse des effets de la dite cap layer sur le
comportement du transistor. A partir des résultats de simulation on a constaté que cette
couche n’a pas une grande influence sur le comportent des transistors HEMT GaAlAs /GaAs.