Transistor haute mobilité d’un haut électron à transistor HEMT
| dc.contributor.author | Ouail, Hicham | |
| dc.date.accessioned | 2019-03-13T09:46:12Z | |
| dc.date.available | 2019-03-13T09:46:12Z | |
| dc.date.issued | 2012 | |
| dc.description.abstract | Ce mémoire avait pour but une étude comparative dans les transistors HEMTs de la filière Arséniure de Galium. L’objectif visé était de faire une étude comparative de deux différentes structures de transistor HEMT issues d’une structure générale et de mettre en évidence l’effet de la suppression d’une couche qui constitue ces structures. Ainsi nous avons étudier l’influence des différents paramètres technologique sur deux facteurs descriptifs de l’hétérojonction à savoir la densité ns du gaz 2DEG et la tension de seuil Vth. Les résultats de simulations obtenus, sur les différentes structures étudiées, sont Présentés. Dans la première partie, on a étudié l’influence des différents paramètres sur Les caractéristiques électriques de la structure I qui contient 4 couche (y compris la couche cap layer). Dans la deuxième partie, l’étude avait pour but l’analyse des effets de la dite cap layer sur le comportement du transistor. A partir des résultats de simulation on a constaté que cette couche n’a pas une grande influence sur le comportent des transistors HEMT GaAlAs /GaAs. | en_US |
| dc.identifier.other | M2012.57 | |
| dc.identifier.uri | https://repository.univ-msila.dz/handle/123456789/11402 | |
| dc.language.iso | fr | en_US |
| dc.publisher | Université Mohamed Boudiaf - M'Sila | en_US |
| dc.title | Transistor haute mobilité d’un haut électron à transistor HEMT | en_US |
| dc.type | Thesis | en_US |