Etude des propriétés électroniques de quelque semi-conducteur III-V : Application dans la photovoltaïque
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Date
2019-06-03
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Volume Title
Publisher
Université Mohamed BOUDIAF de M'Sila
Abstract
Les propriétés structurales et électroniques des composes GaP, GaAs et GaSb ont été étudiées. Les calculs
ont été effectués par la méthode de calcul des ondes planes augmentées (FP-LAPW) qui se base sur théorie de la
fonctionnelle de la densité (DFT).Nous avons utilisé l’approximation de la densité locale (LDA) et l’approximation
du gradient généralisé (GGA) pour le terme du potentiel d’échange et de corrélation (XC) pour calculer les propriétés
structurales tel que (le paramètre de réseau, module de compressibilité, énergie minimal). Les valeurs du paramètre
de réseau d’équilibre sont en accord avec les résultats expérimentaux disponibles. Et les propriétés électronique
(structure de bandes, densité d’états totale et partielle) on utilisé les approximations LDA, GGA, et mBJ. Les résultats
obtenus pour la structure de bandes en utilisant mBJ montrent une amélioration considérable par rapport à ceux
trouvés en utilisant les deux approximations LDA et GGA.
Ces matériaux ont une grande importance dans le domaine de l'électronique.
Description
Keywords
semi-conducteurs ;( FP-LAPW) ; DFT ; mBJ ; photovoltaïque.