Etude des propriétés électroniques de quelque semi-conducteur III-V : Application dans la photovoltaïque

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dc.contributor.authorKhiereddine, Fouzia. Bahira, Fettoum
dc.date.accessioned2019-07-18T09:42:58Z
dc.date.available2019-07-18T09:42:58Z
dc.date.issued2019-06-03
dc.description.abstractLes propriétés structurales et électroniques des composes GaP, GaAs et GaSb ont été étudiées. Les calculs ont été effectués par la méthode de calcul des ondes planes augmentées (FP-LAPW) qui se base sur théorie de la fonctionnelle de la densité (DFT).Nous avons utilisé l’approximation de la densité locale (LDA) et l’approximation du gradient généralisé (GGA) pour le terme du potentiel d’échange et de corrélation (XC) pour calculer les propriétés structurales tel que (le paramètre de réseau, module de compressibilité, énergie minimal). Les valeurs du paramètre de réseau d’équilibre sont en accord avec les résultats expérimentaux disponibles. Et les propriétés électronique (structure de bandes, densité d’états totale et partielle) on utilisé les approximations LDA, GGA, et mBJ. Les résultats obtenus pour la structure de bandes en utilisant mBJ montrent une amélioration considérable par rapport à ceux trouvés en utilisant les deux approximations LDA et GGA. Ces matériaux ont une grande importance dans le domaine de l'électronique.en_US
dc.identifier.urihttp://dspace.univ-msila.dz:8080//xmlui/handle/123456789/15254
dc.language.isofren_US
dc.publisherUniversité Mohamed BOUDIAF de M'Silaen_US
dc.subjectsemi-conducteurs ;( FP-LAPW) ; DFT ; mBJ ; photovoltaïque.en_US
dc.titleEtude des propriétés électroniques de quelque semi-conducteur III-V : Application dans la photovoltaïqueen_US
dc.typeThesisen_US

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