Propriétés optoélectroniques de quelque semiconducteurs chalcopyrites : applications photovoltaïques
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Date
2022
Authors
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Volume Title
Publisher
Université Mohamed Boudiaf - M’Sila
Abstract
Les propriétés structurales et électroniques de composé ont été
étudiées. Les calculs ont été effectués par la méthode de calcul des ondes planes
augmentées (FP-LAPW) qui se base sur théorie de la fonctionnelle de la densité
(DFT).Nous avons utilisél’approximation de la densité locale (LDA) et l’approximation
du gradient généralisé (GGA) pour le terme du potentiel d’échange et de corrélation
(XC) pour calculer les propriétés structurales tel que (le paramètre de réseau, module de
compressibilité, énergie minimal). Les valeurs du paramètre de réseau d’équilibre sont
en accord avec les résultatsexpérimentaux disponibles. Et les propriétés électronique
(structure de bandes, densité d’états totale et partielle) on utilisé les approximations
LDA, GGA, et mBJ. Les résultats obtenus pour la structure de bandes en utilisant mBJ
montrent une amélioration considérable par rapport à ceux trouvés en utilisant les deux
approximations LDA et GGA.
Description
Keywords
Semi-conducteurs, WIEN2K,FP-LAPW, DFT, GGA,LDA, mBJ.