Propriétés optoélectroniques de quelque semiconducteurs chalcopyrites : applications photovoltaïques

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dc.contributor.authorChenague Hanane
dc.date.accessioned2023-02-22T13:22:05Z
dc.date.available2023-02-22T13:22:05Z
dc.date.issued2022
dc.description.abstractLes propriétés structurales et électroniques de composé ont été étudiées. Les calculs ont été effectués par la méthode de calcul des ondes planes augmentées (FP-LAPW) qui se base sur théorie de la fonctionnelle de la densité (DFT).Nous avons utilisél’approximation de la densité locale (LDA) et l’approximation du gradient généralisé (GGA) pour le terme du potentiel d’échange et de corrélation (XC) pour calculer les propriétés structurales tel que (le paramètre de réseau, module de compressibilité, énergie minimal). Les valeurs du paramètre de réseau d’équilibre sont en accord avec les résultatsexpérimentaux disponibles. Et les propriétés électronique (structure de bandes, densité d’états totale et partielle) on utilisé les approximations LDA, GGA, et mBJ. Les résultats obtenus pour la structure de bandes en utilisant mBJ montrent une amélioration considérable par rapport à ceux trouvés en utilisant les deux approximations LDA et GGA.en_US
dc.identifier.urihttp://dspace.univ-msila.dz:8080//xmlui/handle/123456789/35419
dc.language.isofren_US
dc.publisherUniversité Mohamed Boudiaf - M’Silaen_US
dc.subjectSemi-conducteurs, WIEN2K,FP-LAPW, DFT, GGA,LDA, mBJ.en_US
dc.titlePropriétés optoélectroniques de quelque semiconducteurs chalcopyrites : applications photovoltaïquesen_US
dc.typeThesisen_US

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